力成下半年重啟高資本支出 且循臺積模式擴大日本佈局

力成下半年重啟高資本支出 且循臺積模式擴大日本佈局

力成卡位高頻寬記憶體 ,下半年重啓高資本支出 ,且循臺積模式擴大日本佈局。記者簡永祥/攝影

封測大廠力成(6239)董事長蔡篤恭表示,AI人工智慧在各領域持續擴散,爲追求更具成本效益的高頻寬記憶體(HBM)新的封裝架構,將爲力成開啓全新的成長動能。在看好佈局的面板級扇出型封裝堆疊於載板(Panel level Fan Out on Substrate)技術及矽鑽孔(TSV)技術,將成爲未來HBM主流封裝架構,且力成又比同業早先完成佈局,決定今年下半年起 ,重啓高資本支出,並循臺積電赴日本投資模式,擴大日本先進封裝投資。

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蔡篤恭表示,包括力成、日月光、矽品及艾可爾等封裝廠,都具備CoWoS封裝的能力,只是CoWoS的關鍵材料矽中介層(interposer)掌握在臺積電的設計路徑,且過去晶圓廠只做矽中介層不划算,導致只有臺積電能提供CoWoS產能。

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他強調,在力成與華邦電協商由華邦電未來提供矽中介層下,雙方決定合攻提供AI晶片產能瓶頸的CoWoS封裝業務。

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此外,力成也開發出Panel level Fan Out on Substrate,此技術與CoWoS最大不同點在於不需使用中介層(interposer),由於採用面板尺寸大面積封裝,單位成本效益將會優於CoWoS,目前已有多家業者導入驗證,預料今年會開始小量接單,明年則預期會帶來可觀的成長動能。

除此之外,他也看好矽鑽孔(TSV)未來也會很快全面成本記憶體封裝架構,在封裝價格比覆晶封裝更具誘因下,將快速成爲新一代記憶體和邏輯晶片主流封裝技術,這對力成來看,將會帶來可觀的成長動能。

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他並強調爲因應地緣政治風險,力成考慮循臺積電與日本客戶合資方式在日本擴大封裝佈局,切入封測領域會以先進技術如影像感測器、高頻寬記憶體爲主,但合資計劃因還未與客戶談定,暫不透露,但此佈局將會着眼於推升力成未來二到三成業績成長所做的規畫。

力成執行長謝永達表示,公司正與日本客戶合作AI、HPC等產品先進封裝開發案,最快今年底前就會開始貢獻業績。

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蔡篤恭指出,力成今年就會開始重新加大資本支出的投資力道,將會投入在新產能及新技術研發。力成去年資本支出大約70億~80億元,預期今年將有望上看100億元,未來將會逐步提升,且可望超越歷年最高峰的170億~180億元。

謝永達表示,雖然力成西安廠已經與美光結束合作,目前初估影響大約30億元營收,不過有信心在記憶體市場持續回溫帶動,加上先進封裝產線有望逐步展現效益情況下,今年前三季營運將可望呈現逐季成長動能,全年業績有望繳出優於去年的成績單。

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